Razlika između BJT i FET
Share
BJT vs FET
I BJT (bipolarni spojni tranzistor) i FET (tranzistor s efektom polja) dvije su vrste tranzistora. Tranzistor je elektronički poluvodički uređaj koji u velikoj mjeri mijenja električni izlazni signal za male promjene malih ulaznih signala. Zbog ove kvalitete, uređaj se može koristiti ili kao pojačalo ili kao prekidač. Tranzistor je objavljen 1950-ih i može se smatrati jednim od najvažnijih izuma u 20. stoljeću s obzirom na njegov doprinos razvoju IT-a. Ispitane su različite vrste arhitekture tranzistora.
Bipolarni spojni tranzistor (BJT)
BJT se sastoji od dva PN spajanja (spoj koji je napravljen spajanjem poluvodiča tipa p i poluvodiča n tipa). Ova dva spajanja formirana su povezivanjem tri komada poluvodiča redoslijedom P-N-P ili N-P-N. Dostupne su dvije vrste BJT-ova poznatih kao PNP i NPN.
Tri su elektrode povezane na ova tri dijela poluvodiča, a srednji kabel naziva se 'baza'. Druga dva spoja su "emiter" i "kolektor".
U BJT struji velikog kolektora (Ic) kontrolira se mala bazna emiterska struja (IB) i ovo svojstvo se koristi za oblikovanje pojačala ili sklopki. Tamo se može smatrati uređajem koji se trenutno napaja. BJT se uglavnom koristi u sklopovima pojačala.
Tranzistor s efektom polja (FET)
FET se sastoji od tri terminala poznata kao "Vrata", "Izvor" i "Odvod". Ovdje struju odvoda kontrolira napon na vratima. Stoga su FET-ovi uređaji s naponom kontroliranim naponom.
Ovisno o vrsti poluvodiča koji se koristi za izvor i odvod (u FET-u su oba napravljena od istog tipa poluvodiča), FET može biti uređaj N ili P kanala. Izvor za odvod struje kontrolira se podešavanjem širine kanala primjenom odgovarajućeg napona na vratima. Postoje i dva načina za kontrolu širine kanala poznatog kao iscrpljivanje i poboljšanje. Zbog toga su FET-ovi dostupni u četiri različite vrste, poput N-kanala ili P-kanala, bilo u iscrpljenom tako i u načinu poboljšanja.
Postoje mnoge vrste FET-ova kao što su MOSFET (Metal Oksid Semiconductor FET), HEMT (tranzistor visoke elektronske pokretljivosti) i IGBT (Bipolarni tranzistor s izoliranim vratima). CNTFET (Carbon Nanotube FET) nastao razvojem nanotehnologije najnoviji je član FET obitelji.
|
Razlika između BJT i FET 1. BJT je u osnovi uređaj sa pogonom na struju, mada se FET smatra uređajem koji kontrolira napon. 2. Priključci BJT poznati su kao odašiljač, sakupljač i baza, dok je FET izrađen od vrata, izvora i odvoda. 3. U većini novih aplikacija FET-ovi se koriste nego BJT-ovi. 4. BJT koristi elektrone i rupe za provođenje, dok FET koristi samo jedan od njih i otuda se naziva unipolarni tranzistor. 5. FET-ovi su energetski učinkovitiji od BJT-a.
|
